Організація виробництва по виготовленню мікросхем K235H4 та розрахунок їх собівартості

Міністерство освіти та науки України

1. Організаційна частина

1.1 Визначення тарифної ставки та розцінки на один виріб

Розряд 1 2 3 4 5 6
Тарифний коефіцієнт, Кт 1 1.1 1.3 1.5 1.75 2
Тарифна ставка, Тст 5,28 5,81 7,13 7,92 8,98 10,86
1.2 Розрахунок необхідної кількості обладнання
1.3 Розрахунок необхідної кількості основних робітників
Найменування операції Обладнання Кількісь пластин в партії
Розряд Виконува - них
Норма часу Розцінка на 1 ГІС
1. Окислення поверхні пластин ЕМ-4030 300 6 0,4 0,0724
2. Перша фотолітографія для отримання вікон під витік і стік СДШ-410 250 5 0,2 0,0299
3. Хімічна обробка УКПМ-1 250 5 0,3 0,0449
4. Проведення двохстадійної дифузії бору УЕМ-309 250 5 0,55 0,0823
5. Друга фотолітографія для отримання вікон СДШ-155 150 4 0,2 0,0264
6. Хімічна обробка УКПМ-3 250 4 0,4 0,0528
7. Окислення поверхні пластин для отримання тонкого шару під затвор ЕМ-4051 250 5 0,5 0,0748
8. Третя фотолітографія для отримання контактних вікон СДШ-150 250 4 0,2 0,0264
9. Напилення алюмінію на всю поверхню пластини УВП-2М 150 5 0,045 0,00673
10. Четверта фотолітографія по шару алюмінію СДШ-305 250 5 0,2 0,0299
11. Випал ВПМ-560 250 5 0,5 0,0748
12. Захист поверхні ІМС шаром SIO2, отриманим методом окислення моносилану РУБІН-4 150 4 0,4 0,0528
13. Різка пластин на окремі кристали АЛМАЗ-12М 100 6 0,8 0,144
14. Наклеювання на ситалову підложку ТЕМП-20 150 5 0,05 0,0074
15. Приєднання виводів (термокомпресія) ПЕЕВ-А5 75 4 0,4 0,0528
16. Гермитазація КВАНТ-17 25 4 0,4 0,0528
17. Контроль мікросхеми ТЕСТ-УМ5 100 4 0,2 0,0264

1.4 Розрахунок потрібної кількості інших робітників
1.5 Розрахунок потрібної кількості площ
Найменування операції
Кількість
Розряди
1 2 3 4 5 6
1. Окислення поверхні пластин 5 5
2. Перша фотолітографія для отримання вікон під витік і стік 3 3
3. Хімічна обробка 4 4
4. Проведення двохстадійної дифузії бору 7 7
5. Друга фотолітографія для отримання вікон 3 3
6. Хімічна обробка 5 5
7. Окислення поверхні пластин для отримання тонкого шару під затвор 6 6
8. Третя фотолітографія для отримання контактних вікон 3 3
9. Напилення алюмінію на всю поверхню пластини 1 1
10. Четверта фотолітографія по шару алюмінію 3 3
11. Випал 6 6
12. Захист поверхні ІМС шаром SIO2, отриманим методом окислення моносилану 5 5
13. Різка пластин на окремі кристали 9 9
14. Наклеювання на ситалову підложку 1 1
15. Приєднання виводів (термокомпресія) 5 5
16. Гермитазація 5 5
17. Контроль мікросхеми 3 3
Всього робітників 74 - - - 29 31 14
Людинорозряди 355 - - - 116 155 84
1.6 Організація робочого місця
2. Економічна частина
2.1 Калькуляція собівартості виробу
Найменування

Найменування

Параметри обладнання

Площа під облд.
Кількість обладнання
Сумарна площа

1. Окислення поверхні пластин ЕМ-4030 25002000 5 5 30
2. Перша фотолітографія для отримання вікон під витік і стік СДШ-410 25003000 6 3 18
3. Хімічна обробка УКПМ-1 10001500 1,5 4 6
4. Проведення двохстадійної дифузії бору УЕМ-309 23002000 4,6 7 36,8
5. Друга фотолітографія для отримання вікон СДШ-155 20002000 4 3 12
6. Хімічна обробка УКПМ-3 15001000 1,5 5 9
7. Окислення поверхні пластин для отримання тонкого шару під затвор ЕМ-4051 23002000 4,6 6 32,2
8. Третя фотолітографія для отримання контактних вікон СДШ-150 20002000 4 3 12
9. Напилення алюмінію на всю поверхню пластини УВП-2М 23002000 4,6 1 4,6
10. Четверта фотолітографія по шару алюмінію СДШ-305 20002000 4 3 12
11. Випал ВПМ-560 15001000 1,5 6 10,5
12. Захист поверхні ІМС шаром SIO2, отриманим методом окислення моносилану РУБІН-4 23002000 4,6 5 27,6
13. Різка пластин на окремі кристали АЛМАЗ-12М 20002000 4 9 44
14. Наклеювання на ситалову підложку ТЕМП-20 25002000 5 1 5
15. Приєднання виводів (термокомпресія) ПЕЕВ-А5 20003000 6 5 36
16. Гермітазація КВАНТ-17 15002500 3,75 5 11,25
17. Контроль мікросхеми ТЕСТ-УМ5 25002500 6,25 3 18,75
Загальна кількість∑ 85.1 74 499.9
Найменування

Одиниця

Вартість за

Норма розхо-
Вартість норми розходу на один виріб, грн
Обгрунтуван-

1. СИТАЛ
КГ 850 0,05г 0,0425 договірна
2. Тантал КГ 1100 0,065г 0,0705 договірна
3. ФОСФОР. СИЛІКАТ СКЛО КГ 100 0,008г 0,062 договірна
4. SiH4 Л 1150 0,005мл 0,00575 договірна
5. SiCl4 Л 1000 0,05мл 0,05 договірна
6. Вода Л 30 1,1мл 0,033 договірна
7. PCl3 Л 570 0,05мл 0,0285 договірна
8. POCl3 Л 580 0,05мл 0,029 договірна
9. Cлюда КГ 400 0,005г 0,002 договірна
14. Флюс КГ 150 0,5г 0,070 договірна
15. Припой КГ 200 0,5г 0,15 договірна
16. Клей КГ 215 0,75г 0,162 договірна
Внр Вартість норми розходу 1,679*
2.2 Розрахунок оптової ціни виробу
2.3 Розрахунок рентабельності
2.4 Розрахунок економічної ефективності
2.5 Техніко-економічні показники виготовлення виробу
Найменування статті витрат Одиниця вимірювання Сума витрат Витрати, %
Стаття 1. Сировина та основні матеріали. грн. 1,88048 28.8
Стаття 2. Заробітна плата. грн. 0,98581 15.1
Стаття3. Відрахування на соціальне страхування грн. 0,3569 5,47
Стаття 4. Цехові накладні витрати. грн. 2.57169 39.4
Собівартість цехова. грн. 5.79488 -------
Стаття 5. Загальновиробничі витрати. грн. 0,6006 9.2
Загальна виробнича собівартість.
грн.
6.39548
------

Стаття 6. Невиробничі витрати. грн. 0,1279
1,96

Повна собівартість. грн. 6.52338 100
Список літератури
1. Покропивний С.Ф. Економіка підприємства. - К.: "Видавництво Хвиля - Прес", 1995
2. Нефедов H. A. Дипломное проектирование в машиностроительных техникумах. - М: Высшая школа, 1986.
3. Панфилов Ю.В., Рябов В.Т. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные работы. - М: Издательство "Радио и связь", 1988.

содержание .. 208 209 210 ..

Найменування Одиниці вимірювання Числове значення
Річна програма шт. 2595720
Режим роботи зміна 2
Обладнання шт. 74
Кількість основних робітників чол. 74
Загальна площа М2 657.96
Заробітна плата грн 0,98581
Собівартість цехова грн. 5.79488
Загальновиробнича собівартість грн. 6.39548
Повна собівартість грн. 6.52338
Оптова ціна товару грн. 7.175718
Економічна ефективність грн. 2063