Зарубежные ИМС широкого применения Чернышева - реферат
Ю. М. Кутыркин А. В. Нефедов А. М. Савченко
Зарубежные
интегральные
микросхемы
широкого
применения
СПРАВОЧНИК
Под редакцией А. А. ЧЕРНЫШЕВА
москва энергоатомиздат
1984
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие
Введение
Раздел первый. Условные обозначения зарубежных интегральных микросхем
Раздел второй. Аналоговые интегральные микросхемы
2.1. Операционные усилители
2.2. Мощные усилители низкой частоты
2.3. Цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи
2.3.1. Цифро-аналоговые преобразователи ....
2.3.2. Аналого-цифровые преобразователи . . .
2.4. Аналоговые ключи и коммутаторы.....
2.4.1. Аналоговые ключи........
2.4.2. Аналоговые коммутаторы......
2.5. Интегральные микросхемы для вторичных источников питания
2.5.1. Интегральные стабилизаторы напряжения непрерывного действия
2.5.2. Интегральные прецизионные источники опорного напряжения
2.5.3. Интегральные микросхемы управления импульсными (ключевыми) стабилизаторами напряжения
Раздел третий. Цифровые интегральные микросхемы
3.1. Интегральные микросхемы для логических и арифметических устройств
3.2. Микропроцессоры
3.3. Полупроводниковые запоминающие устройства
Приложение. Типовые корпусы ИМС ......
Перечень зарубежных ИМС, вошедших в справочник
ПРЕДИСЛОВИЕ
Основной элементной базой современной радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) являются интегральные микросхемы (ИМС). Свойства, параметры, характеристики и особенности ИМС определяют технические, эксплуатационные и экономические характеристики РЭА.
Эффект от применения ИМС в РЭА состоит не только в том, что обеспечивается уменьшение ее массы, габаритов и стоимости, но и в том, что упрощается процесс ее проектирования, удешевляется технология монтажа и сборки. Например, электронная вычислительная машина CD 1604 в 1960 г. содержала 100 тыс. диодов и 25 тыс. транзисторов. В связи с появлением ИМС микрокалькулятор образца 1964 г. содержал уже вместо 21 тыс. дискретных элементов всего 29 МОП ИМС. В настоящее время подобный микрокалькулятор содержит всего одну большую ИМС. По зарубежным данным стоимость процесса сборки на дискретных элементах составляет 77 % стоимости всей аппаратуры, а на ИМС средней сложности — лишь 40 %.
Кроме того, при применении ИМС сокращаются работы по корректировке, настройке, техническому обслуживанию и ремонту РЭА, уменьшается потребление мощности от источников питания.
Широкое применение ИМС в радиоэлектронной аппаратуре вызывает повышенный интерес к информации не только об отечественных, но и зарубежных аналоговых и цифровых интегральных микросхемах. В книге приводятся сведения об условных обозначениях ИМС, электрических параметрах аналоговых ИМС (операционных усилителей, усилителей мощности, цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей, аналоговых ключей и коммутаторов; ИМС для вторичных источников питания) и цифровых ИМС (логических, запоминающих устройств и микропроцессоров) ведущих зарубежных фирм.
Типовые конструкции ИМС приведены в приложении.
Параграфы 2.4, 2.5 написаны Ю. М. Кутыркиным; предисловие, введение, разд. 1, § 2.1 — 2.3 — А. В. Нефедовым, разд. 3 — А. М. Савченко.
Авторы
ВВЕДЕНИЕ
Первые зарубежные лабораторные образцы ИМС (триггер и генератор сдвига фаз) были созданы в США в 1958 г. фирмой Texas Instr. (патент на первую ИМС был выдан Ж. Кильби и затем Р. Нойсу в 1959 г.). В дальнейшем в 1961 г. были выпущены серийные логические ИМС фирмами Fairchild (схема совпадений, регистр, триггер, содержавший четыре биполярных транзистора и два резистора) и Texas Instr. (серия SN51). В 1962 г. появились и первые аналоговые ИМС серии SN52 (маломощный усилитель низкой частоты, операционный усилитель и видеоусилитель).
Радикальное изменение принципов создания ИМС принесли разработанная фирмой Fairchild в 1960 г. планарная технология для биполярных транзисторов, а также методы создания полевых транзисторов (транзисторы с р-n
переходом были получены впервые в 1957 г., а МОП-транзисторы — в 1962 г.) Первая логическая МОП-схема была создана фирмой RCA в 1963 г. и содержала 16 МОП-транзисторов. В 70-е годы появилось много различных базовых технологий и новых технологических направлений, используемых для создания ИМС: р-МОП, n-МОП, КМОП, инжекционная логика (И2
Л) в 1972 г., приборы с зарядовой связью (ПЗС) в 1970 г. и др. В настоящее время насчитывается около 50 технологических разновидностей ИМС. Развитие микроэлектроники идет по пути повышения уровня интеграции ИМС путем увеличения числа элементов и уменьшения структурных размеров элементов с помощью новых технологических методов: от первых ИМС с малой степенью интеграции-SSI (менее чем 100 элементов на кристалл) до ИМС средней — MSI (от 100 до 1000 элементов на кристалл) и большой — LSI (от 1000 до 100000 элементов на кристалл) степени интеграции. Например, у микропроцессора типа 8086 на кристалле площадью 33 мм2
содержится 29 тыс. транзисторов. Многие из современных больших ИМС эквивалентны по функциональным возможностям большим радиоэлектронным устройствам. В настоящее время наступила стадия создания и сверхбольших ИМС (VLSI). Значительное повышение уровня интеграции ИМС приводит к слиянию в единый технологический цикл процессов создания ИМС и РЭА. Однако рост степени интеграции, а значит, и сложность ИМС, будет ограничиваться, очевидно, экономическими и практическими факторами из-за специфичности и узкого применения (ограниченного спроса) таких сверхбольших ИМС, а также такими проблемами, как проблема внутренних межсоединений, занимающих все большую площадь по мере увеличения числа элементов. Кроме того, с уменьшением геометрических размеров элементов возрастает сопротивление межсоединений, вследствие чего увеличивается мощность рассеяния и снижается быстродействие ИМС. Не менее важной проблемой является сборка ИМС в корпуса с большим числом выводов.
РАЗДЕЛ ПЕРВЫЙ
УСЛОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ЗАРУБЕЖНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
За рубежом существуют различные системы кодирования (обозначения) ИМС, действующие как в международном масштабе, так и внутри отдельных стран и фирм.
В европейских странах система кодирования ИМС аналогична системе, принятой для кодирования дискретных полупроводниковых приборов, и используется примерно 40 фирмами различных стран (Англии, Бельгии, Италии, Испании, Нидерландов, Швеции, ФРГ), выпускающими полупроводники. Основные принципы кодирования, по которым обозначения присваиваются организацией Association International Pro Electron, приводятся ниже.
Код состоит из трех букв, за которыми следует серийный номер (например, ТВА810, SAB2000).
Первая буква (для одиночных схем) отражает принцип преобразования сигнала в схеме: S — цифровая схема; Т — аналоговая схема; U — смешанная аналого-цифровая схема.
Вторая буква не имеет специального значения (выбирается фирмой-изготовителем), за исключением буквы Н, которой обозначаются гибридные схемы.
Для серий (семейств) цифровых схем первые две буквы обозначают: FL, FZ, GD — цифровые схемы;
Третья буква обозначает рабочий диапазон температуры или как исключение — другую важную характеристику:
А — температурный диапазон не нормирован;
В — от 0 до +70 °С;
С — от — 55 до +125 °С;
D — от — 25 до + 70°С;
Е — от — 25 до +85°С;
F — от — 40 до +85 °С;
G — от — 55 до +85°С.
Затем следует серийный номер. Он может быть либо четырехзначным числом или серийным номером, состоящим минимум из четырех цифр существующего внутрифирменного номера. Если последний состоит менее чем из четырех цифр, то количество цифр увеличивается до четырех путем добавления нулей перед ними.
Кроме того, за цифрами может следовать буква для обозначения варианта (разновидности) основного типа.
При обозначении вариантов корпусов (после серийного номера) первая буква показывает тип корпуса:
С — цилиндрический корпус;
D — с двухрядным параллельным расположением выводов
F — плоский (с двусторонним расположением выводов);
G — плоский (с четырехсторонним расположением выводов);
К — металлический корпус типа ТО-3;
Q — с четырехрядным параллельным расположением выводов; вторая буква показывает материал корпуса: В — бериллиевая керамика; С — керамика; G — стеклокерамика; М — металл; Р — пластмасса.
Ниже приводятся другие условные обозначения ИМС некоторых зарубежных фирм. Вначале дается пример внутрифирменного обозначения, а затем на его основе показано цифро-буквенное кодирование ИМС.
Фирма Advanced Micro Devices
Пример обозначения AM27
S1
8 FM
1. Фирменное буквенное обозначение: AM.
2. Функциональное назначение и технология: 25 — специализированные схемы со средним уровнем интеграции (MSI); 26 — интерфейсные схемы; 27 — биполярные запоминающие устройства; 28, 90, 91, 92, 94, 95 — МОП-схемы; 29 — биполярные микропроцессоры.
3. Тип схемы: L — маломощные; S — с диодами Шоттки; LS — маломощные с диодами Шоттки.
4. Серийный номер.
5. Тип корпуса: D — с двухрядным вертикальным расположением выводов типа DIP; Р — пластмассовый; F — плоский; X — бескорпусная ИМС.
6. Рабочий диапазон температуры: С — от 0°С до +75 °С (коммерческое назначение); М — от — 55°С до 125 °С (специальное назначение).
Фирма American Microsystems Inc.
Пример обозначения S 1103 А 2 Р
1. Фирменное буквенное обозначение: S (другие варианты- MX UL, SP).
2; 3. Серийный номер прибора и его вариант.
4. Тип корпуса: 1 — пластмассовый: 2 — керамический с двухрядным расположением выводов (Cer-DIP); 3 — керамический типа DIP с однослойной металлизацией (SLAM); 4 — керамический (трехслойный); 5 — типа ТО (стандартный корпус, принятый в США).
5. Количество выводов: С — 22; D — 14; F — 12 (корпус ТО) Н — 16; 1 — 28; L — 24; М — 40 (SLAM); Р — 18 (DIP); Т — 40- U — 16!
W-24; Z-28.
Фирма Analog Devices
Пример обозначения AD 7520 J N
1. Фирменное буквенное обозначение: AD.
2. Серийный номер.
3. Диапазон температуры: А, В, С (промышленное назначение); J, К, L (коммерческое назначение); S, Т, U (специальное назначение).
4. Тип корпуса: D — керамический типа DIP; F — плоский кера-митеский; Н — типа ТО-5; N — пластмассовый типа DIP.
3. Тип корпуса: М — металлический; С, G — керамический.
4. Модификация.
5. Точность: D1 — лучшая.
Фирма Datel Systems Inc.
Пример обозначения AM 490- 2 А С
1. Функциональное назначение: ADC — аналого-цифровые преобразователи; AM — усилители; DAC — цифро-аналоговые преобразователи; DAS — система сбора данных; FLT — фильтры; MV, MX — мультиплексоры; SHM — схемы выборки и хранения; VF — преобразователи напряжение — частота; VI — инвертор напряжения; VR — источник опорного напряжения; ТТ — датчик температуры.
2. Серийный номер.
3. Тип корпуса: а) для монолитных схем: 1 — DIP с 14 выводами; 2 — металлический ТО-99; б) для гибридных схем: G — пластмассовый; М — металлический.
4. Вариант прибора по параметрам.
5. Диапазон температуры: С — от 0°С до 70 °С; М — от — 55 °С до + 125 °С; R — от — 25 °С до -1-85 °С.
Фирма Exar Integrated Systems
Пример обозначения: XR 567 С Р
1. Фирменное буквенное обозначение: XR.
2. Серийный номер.
3. Диапазон температуры: С — коммерческое назначение; М — специальное назначение.
4. Тип корпуса: D — бескорпусная ИМС; К — ТО-66 (модификация); Р — пластмассовый; N — керамический; Т — металлический (ТО-99; ТО-100; ТО-101).
Фирма Fair child
Пример обозначения: цА 741А Н М; 35342 D С
1. Фирменное буквенное обозначение: F — основной разработчик; SH — гибридные схемы; цА — аналоговые схемы.
2. Серийный номер и модификация схемы.
3. Тип корпуса: С — бескорпусная ИМС; D — керамический DIP (ТО-116); Е — пластмассовый (ТО-105; ТО-106); F — плоский (ТО-86; ТО-91); Н — металлический (ТО-5; ТО-18; ТО-33; ТО-39; ТО-52; ТО-71; ТО-72; ТО-78; ТО-96; ТО-99; ТО-100; ТО-101); J — металлический (ТО-66); К — металлический (ТО-3); Р — пластмассовый типа DIP; R — керамический типа мини-DIP; Т — пластмассовый типа мини-DIP; U — пластмассовый (ТО-220); W — пластмассовый (ТО-92).
4. Диапазон температуры: С — от 0°С до +75°С (для КМОП-схем от — 40 °С до +85°С); L — для МОП-схем от — 55 °С до + 85 °С (для аналоговых схем от — 20 °С до +85 °С); для гибридных схем — от — 20°С до +85°С; М — от — 55°С до +85/125°С; V — от — 40°С до +85°С.
Фирма General Instrument
Пример обозначения RO 6 хххх хх
1. Фирменное буквенное обозначение: AY, CU — матрицы; СР — микропроцессоры; DL, DS — динамические сдвиговые регистры емкостью соответственно более и менее 50 бит; ER — перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства с электрическим стиранием информации; LC — линейные схемы; LG — логические схемы; MEM — мультиплексоры, ключи, счетчики на полевых транзисторах; MUX — коммутаторы (мультиплексоры); NC, PC — гибридные схемы; PIC, SBA — однокристальные микро-ЭВМ; RA — оперативные запоминающие устройства; RO — постоянные запоминающие устройства; SL и SS — статические сдвиговые регистры емкостью соответственно более или менее 50 бит.
2. Диапазон температуры и технология: 0 — от — 55 °С до +85 °С (MTOS); 1 — от 0°С до +70 °С (MTOS); 4 — с n-каналом; 5 — от 0°С до +70 °С (MTNS); 6 — от — 55 °С до +125°С; 7 — MTNS; 8 — от — 55°С до +125°С (с кремниевым затвором); 9 — от 0°С до +70°С (с кремниевым затвором).
3. Для мультиплексоров первые две цифры показывают типовое значение сопротивления канала в открытом состоянии tds: 01 < <100 Ом; 02<200 Ом; 03<300 Ом и т. д. Остальные две цифры показывают число каналов.
Для оперативных и постоянных запоминающих устройств четыре цифры показывают значение информационной емкости (число бит). Для сдвиговых регистров первая цифра показывает количество схем в корпусе (1 — одна; 2 — две; 3 — три и т.д.). Остальные три цифры показывают число бит.
4. Тип корпуса: 01 — бескорпусная ИМС; 12 — с 8 выводами DIP; 14 — типа ТО-5 с 4 выводами; 15 — типа ТО-78 с 8 выводами; 16 — типа ТО-5 с 8 выводами; 17 — типа ТО-5 с 8 выводами (моди-.фикация); 21 — типа ТО-5 с 10 выводами; 22 — типа ТО-5 с изолированными выводами; 23 — типа ТО-100 с 10 выводами; 29 — пластмассовый DIP с 24 выводами; 30 — пластмассовый DIP с 14 выводами; 31 — пластмассовый с 16 выводами; 32 — пластмассовый DIP с 24 выводами; 33 — пластмассовый DIP с 40 выводами; 35 — плоский пластмассовый с 36 выводами; 51 — типа ТО-8 с 12 выводами; 55 — DIP с 16 выводами; 60 — плоский с 10 выводами; 61 — плоский с 14 выводами; 62 — плоский с 16 выводами; 63 — плоский с 20 выводами; 64 — плоский с 24 выводами; 65 — плоский с 40 выводами; 66 — с 36 выводами; 68 — плоский с 44 выводами; 69 — DIP с 14 выводами; 71 — с 16 выводами; 72 — DIP с 24 выводами; 73 — DIP с 24 выводами (модификация); 74 — DIP с 40 выводами; 75 — DIP с 40 выводами (модификация); 76 — DIP с 28 выводами; 77 — DIP с 18 выводами; 79 — DIP с 24 выводами (модификация); 80 — керамический DIP с 14 выводами; 81 — керамический DIP с 16 выводами.
Фирма Harris Sem
Пример обозначения Н А 1 - 2900 - 2
1. Фирменное буквенное обозначение: Н.
2. Функциональное назначение: А — аналоговые схемы; В — отладочное плато; С — схемы средств связи; CF — бескорпусная ИМС; D — цифровые схемы; I — интерфейсные схемы (ключи, коммутаторы, ЦАП и т.д.); М — запоминающие устройства, микропроцессоры, диодные матрицы; PROM — программируемые постоянные запоминающие устройства; RAM — оперативные запоминающие устройства; ROM — постоянные запоминающие устройства; S — программное обеспечение; Т — транзисторные сборки.
3. Тип корпуса: 1 — типа DIP с двухрядным расположением выводов; 2 — типа ТО-5; 3 — пластмассовый типа DIP; 4 — безвыводной; 7 — типа мини-DIP; 9 — плоский; 0 — бескорпусная ИМС.
4. Серийный номер.
5. Диапазон температуры: 1 — от О°С до +200°С; 2 — от — 55 °С до +125°С; 4 — от — 25° С до +85 °С; 5 — от О °С до +75 °С; 9 — от — 40 °С до 85 °С (для серии 4000 КМОП); от — 55 °С до +125°С (для серии 5400); от 0°С до + 70°С (для серии 7400).
Фирма Hitachi
Пример обозначения: HD 25 48 Р
1. Фирменное буквенное обозначение: НА — аналоговые; HD — Цифровые; HN — постоянные запоминающие устройства (ROM); НМ — оперативные запоминающие устройства (RAM),
2. Серийный номер.
3. Тип корпуса: Р — пластмассовый.
Фирма JTT
Пример обозначения: MIC 9300 1 D
1. Фирменное обозначение: ITT, MIC, SAK, SAJ, SAY, TAA, ТВА, ТСА, TDA (в соответствии с системой Pro Electron).
2. Серийный номер и вариант прибора.
3. Диапазон температуры: 1 — от — 55 °С до +125°С; 5 — от 0°Сдо +75°С.
4. Тип корпуса: В — плоский; С — типа ТО-5; D — керамический типа DIP; N — пластмассовый типа DIP.
Фирма Intel
Пример обозначения; I Р 3301A L-4
1. Рабочий диапазон температуры: I — промышленное назначение; М — специальное назначение.
2. Тип корпуса: В — керамический типа DIP; С — металлокера-мический типа DIP; D — стеклокерамический типа DIP; М — металлический; Р — пластмассовый типа DIP; X — бескорпусная ИМС.
3. Серийный номер и вариант прибора.
4. Модификация по мощности, быстродействию и другим параметрам.
Фирма Intersil Inc.
Пример обозначения: IM 6518A М D D
1. Фирменное буквенное обозначение: DG — аналоговые ключи; D — схемы управления; IH — гибридные схемы; ICL — аналоговые схемы; ICM — таймеры; IM — цифровые схемы или запоминающие устройства.
2. Серийный номер и вариант прибора (буква).
3. Диапазон температуры: С — от 0°С до +70 °С; I — от — 40 °С до +70°С; А, М — от — 55 °С до +125 °С; В — от — 20 °С до +85 °С.
4. Тип корпуса: В — пластмассовый плоский миниатюрный; D — керамический типа DIP; Е — типа ТО-8; F — плоский керамический; 1 — DIP с 16 выводами; J — керамический типа DIP; К — типа ТО-3 с 8 выводами; L — керамический безвыводной; Р — пластмассовый типа DIP; Q — металлический с двумя выводами; Т — типа ТО-5; DR — типа ТО-72.
5. Число выводов: А — 8; В — 10; С — 12; D — 14; Е — 16; F — 22; G — 24; 1 — 28; J — 32; К — 36; L — 40; М — 48; N — 18.
Для серии 7600 (операционные усилители) пример обозначения: ICL 7611A C TY
2. Третья цифра в серийном номере показывает: I — одиночные;
2 — сдвоенные; 3 — строенные; 4 — счетверенные; буква показывает значение напряжения смещения нуля: А — 2 мВ; В — 5 мВ; С — 10 мВ; D — 15 мВ; Е — 25 мВ.
3. Диапазон температуры: С — от 0°С до +70°С; М — от — 55 °С до +125°С.
4. Тип корпуса: TY — типа ТО-99 с 8 или 4 выводами; РА — пластмассовый мини-DIP с 8 выводами; PD — пластмассовый с 14 выводами; РЕ — пластмассовый с 16 выводами; JD — керамический DIP с 14 выводами; JE — керамический DIP с 16 выводами.
5. Тип корпуса: К — стеклокерамический типа DIP (K-1 с 16 выводами); Р — пластмассовый (Р-1 с 14 выводами типа ТО-116; Р-2 с 14 выводами; Р-3 с 16 выводами; Р-4 с 18 выводами; Р-5 с 24 выводами; Р-11 с 8 выводами); S — металлокерамический;Т — металлический (Т-1 с 8 выводами типа ТО-99; Т-2 с 10 выводами типа ТО-100); Y — металлический с 10 выводами, модификация корпуса типа ТО-3.
Фирма Monolithic Memories
Пример обозначения: 6 2 41-1 J; SN 74 LS 373 J
1. Фирменное буквенное обозначение: SN, PAL — программируемые логические матрицы.
5. Технология: 1 — ТТЛ с диодами Шоттки; 2 — усовершенствованный вариант; S — с диодами Шоттки; LS — маломощные с диодами Шоттки.
6. Тип корпуса: F — плоский; J — керамический типа DIP; L — безвыводной; N — пластмассовый типа DIP.
Фирма Mostek Corp.
Пример обозначения: МК 4027 Р
1. Фирменное буквенное обозначение: МК.
2. Серийный номер, 1ХХХ или 1ХХХХ — регистры сдвиговые, постоянные запоминающие устройства (ROM); 2ХХХ ЗХХХ или 2ХХХХ, ЗХХХХ — постоянные запоминающие устройства; перепрограммируемые запоминающие устройства со стиранием информации ультрафиолетовыми лучами; 4ХХХ или 4ХХХХ — оперативные запоминающие устройства (RAM); 5ХХХ или 5ХХХХ — счетчики для аппаратуры связи и промышленного применения.
3. Тип корпуса: Е — безвыводной с керамическим кристаллодер-жателем (микрокорпус); F — керамический плоский; J — керамический DIP (Cer-DIP); К — керамический типа DIP с металлической крышкой; М — пластмассовый плоский; N — пластмассовый типа DIP; Р — с позолоченной крышкой керамический типа DIP; Т — керамический типа DIP с прозрачной крышкой..
2. Серийный номер и вариант прибора. Цифровое обозначение может показывать рабочий диапазон температуры, например приборы серии 1400 работают при температуре от 0°С до +75°С, а 1500 от — 55 °С до +125°С.
3. Тип корпуса: F — плоский керамический; G — металлический (типа ТО-5); К — металлический ТО-3; L — керамический типа DIP; Р — пластмассовый; PQ — пластмассовый типа DIP; R — металлический типа ТО-66; Т — пластмассовый типа ТО-220; U — керамический.
Фирма National Semiconductor Corp. (NSC)
Примеры обозначения: LF 355А N; АDC 0800 P C N
1. Фирменное буквенное обозначение: ADC — аналого-цифровые преобразователи; АЕЕ — для микро-ЭВМ; AF — активные фильтры; АН — аналоговые ключи (гибридные); AM — аналоговые ключи (монолитные); CD — КМОП-схемы (только для серии 4000); СОР — микроконтроллеры; DAC — цифро-аналоговые преобразователи; DH — цифровые (гибридные) схемы; DM — цифровые (монолитные) схемы; DP, DS — микропроцессоры и интерфейсные схемы; IDM, IMP, INS, IPC, ISP, NSC (серии 800, 1600) — микропроцессоры; LF — аналоговые схемы по BI FET технологии; LFT — аналоговые схемы по BIFET-II технологии; LH — аналоговые гибридные схемы; LM — аналоговые монолитные схемы; МН — гибридные МОП-схемы; ММ — монолитные МОП-схемы; NH — гибридные схемы (устаревшие); SD — специальные цифровые схемы; SL — специальные аналоговые схемы; SM — специальные МОП-схемы.
Примечание. Для преобразователей (ЦАП и АЦП) третья буква в буквенном обозначении обозначает: С — полные (функционально законченные); В — стандартные блоки; D — измерительные приборы с цифровым отсчетом; М — модульные.
2. Серийный номер (основной тип) и дополнительные буквы: fc
— улучшенные электрические характеристики; С — промышленный диапазон температуры. Для ЦАП и АЦП цифры показывают количество разрядов: 08 — 8 бит; 10 — 10 бит; 12 — 12 бит; 25, 35, 37, 45 — 2 — , 3 , 3 — , 4 — двоичных разрядов соответственно.
3. Для ЦАП и АЦП технология: Р — р-МОП; С — КМОП; Н — гибридные; В — биполярные; N — n-МОП; L — линейные; I — И2
Л.
4. Для ЦАП и АЦП диапазон температуры: С (промышленное назначение).
5. Тип корпуса: D — металлостеклянный типа DIP; F — плоский металлостеклянный; G — металлический ТО-8 с 12 выводами; Н — металлический многовыводной (Н-05 — ТО-5 с 4 выводами; Н-46 типа ТО-46 с 4 выводами); J — керамический типа DIP (J-8 мини-DIP с 8 выводами; J-14 с 14 выводами; К — металлический типа ТО-3; КС — металлический (алюминиевый) типа ТО-3; N — пластмассовый (N-8 мини-DIP с 8 выводами; N-14 с 14 выводами); Р — ТО-202 с 3 выводами; Т — ТО-220 пластмассовый с 3 выводами; S — пластмассовый с 14 выводами большой мощности; W — керамический плоский; Z — с 3 выводами пластмассовый ТО-92.
Для аналоговых схем в серийном номере первая цифра показывает;, 1 — диапазон температуры от — 55 °С до +125°С (за исклю-
ченнем серии LM1800 для коммерческой аппаратуры); 2 — от — 25 Э
С до +85 °С; 3 — от 0 до +70 °С.
Для цифровых схем: первые две цифры в серийном номере показывают: 54, 55 — специальное назначение; 74, 75 — коммерческое назначение (все другие типы с обозначением, начинающимся с цифры 7, имеют диапазон температуры от +55 °С до +125°С); все типы с обозначением, начинающимся с цифры 8, имеют диапазон температуры от О °С до 70 °С.
Интегральные микросхемы для вторичных источников питания обозначаются по специальной цифровой системе.
Фирма Nippon Electric Corp (NEC)
Пример обозначения: цР В 1 А
1. Фирменное буквенное обозначение: м
P.
2. Функциональное назначение: А — набор элементов; В — цифровые биполярные (запоминающие устройства); С — аналоговые биполярные схемы; D — цифровые МОП-схемы.
3. Серийный номер.
4. Тип корпуса: А — типа ТО-5; В — плоский; С — пластмассовый типа DIP; D — керамический типа DIP.
3. Тип корпуса: СМ — типа ТО-5 (многовыводной); DG — керамический типа DIP; DP — пластмассовый типа DIP; ЕР — для ИМС большой мощности; FM — плоский с 10 выводами; GM — плоский с 14 выводами; КМ — типа ТО-3; SP — пластмассовый с однорядным расположением выводов.
3. Тип корпуса: Н — ТО-78; J — ТО-99; К — ТО-100; L — плоский с 10 выводами; М — плоский с 14 выводами; N — плоский с 24 выводами; Р — пластмассовый (мини-DIP) с 8 выводами; Q — DIP с 16 выводами; Т — DIP с 28 выводами; V — DIP с 24 выводами; W — DIP с 40 выводами; X — DIP с 18 выводами; Y — DIP с 14 выводами.
Фирма Raytheon Sem.
Пример обозначения: RS И8 DD; AM 2901 D M
1. Фирменное буквенное обозначение: LH1, LM1, RM (диапазон температуры от — 55 °С до +125°С); LH2, LM2 (от — 25 °С до +85 °С); LH3, LM3, RC (от 0°С до +70 °С); RV (от — 40 °С до + 85°С); элементы микро-ЭВМ: AM, R; 93.
2. Серийный номер.
3. Тип корпуса: BL — с балочными выводами; ВМ — пластмассовый DIP с 16 выводами; CJ, СК — плоский керамический с 14 выводами; CL — плоский керамический с 16 выводами; JD — металлический DIP с 14 выводами; DB — пластмассовый DIP с 14 выводами; DC, DD, DE — керамические DIP с 14, 16 и 8 выводами соответственно; DM — керамический DIP с 16 выводами; DZ — керамический DIP с 40 выводами; F — плоский; FY — плоский керамический с 28 выводами; FZ — плоский керамический с 42 выводами; Н — металлический с 3, 8 или 10 выводами; J — керамический DIP с 14 или 16 выводами; К — типа ТО-3; MB — пластмассовый DIP с 16 выводами; ML, MS, MZ — керамические типа DIP с металлической крышкой с 16, 20 и 40 выводами соответственно; N — плоский металлический с 24 выводами; NB — пластмассовый DIP с 8 выводами; PS, PU, PV, PZ — пластмассовый DIP с 20, 24, 28 и 40 выводами соответственно; Q — плоский с 10 выводами; R — керамический DIP с 24 выводами; Т — металлический с 3, 8 или 10 выводами;, ТК — типа ТО-66 с 3 выводами; W — плоский керамический с 14 выводами.
Для микро-ЭВМ: D — с двухрядным расположением выводов; F — плоский; Р — пластмассовый типа DIP; X — бескорпусная ИМС.
4. Диапазон температуры: С — от О °С до +75 °С; М — от — 55 °С до +125°С
Фирма RCA Solid State
Пример обозначения: CD 4070 D
1. Фирменное буквенное обозначение: СА — аналоговые схемы; CD — цифровые схемы; CDP — микропроцессоры; MW — МОП-схемы; внутрифирменное обозначение для всех классов полупроводниковых приборов: ТА.
2. Серийный номер.
3. Тип корпуса: D — керамический типа DIP; E — пластмассовый DIP; F — керамический типа DIP; G — кристалл с пластмассовой герметизацией; Н — бескорпусная ИМС; К — керамический плоский; L — с балочными выводами; Q — с 4-рядным расположением выводов; S, Т — типа ТО-5.
Фирма Sanyo
Пример обозначения: LA 1230
1. Фирменное буквенное обозначение: LA — биполярные линейные; LB — биполярные цифровые; LC — КМОП; LE — n-МОП; LM — рМОП; LD, STK — тонкопленочные и толстопленочные схемы.
2. Серийный номер.
Фирма Sescosem (Thomson)
Пример обозначения:SF F 8 1104A P T
1. Фирменное буквенное обозначение: SF (имеются и другие сбозначения, например ESM, TDB).
4. Серийный номер: три цифры с буквой, обозначающей вариант, для аналоговых ИМС; от двух до пяти цифр для цифровых ИМС и дополнительно от двух до четырех цифр для обозначения номера типа.
5. Тип корпуса: при отсутствии буквы — металлический корпус (ТО-5; ТО-99; ТО-100); D — пластмассовый типа мини-DIP; Е — пластмассовый DIP (ТО-116; МР-117); G — керамический типа мини-DIP; J — керамический типа DIP; К — керамический типа DIP; Р — плоский (ТО-91); R — металлический (ТО-3); U — пластмассовый плоский мини-корпус.
6. Диапазон температуры: при отсутствии буквы для цифровых схем — от 0°С до +70 °С; С — от 0°С до +70°С; Т — от — 25 °С до + 85°С; V — от — 40°С до +85°С; М — от — 55°С до +125°С.
Фирма Signetics Corp. (Philips)
Пример обозначения: N 74123 F
1. Рабочий диапазон температуры: N или NE — от 0°С до 70 °С (N8 — от 0°С до +75°С); S или SE — от — 55°С до 125°С; SA — от — 40 °С до 85 °С; SU — от — 25 °С до +85 °С; серии 5400 — от — 55 °С до +125 °С; серии 7400 — от О °С до +70 °С.
3. Тип корпуса: D — микроминиатюрный пластмассовый (типа SO) с 8, 14 или 16 выводами; N — пластмассовый с 8, 14, 16, 18, 22, 24, 28 или 40 выводами; F — керамический DIP с 8, 14, 16, 18, 20, 22, 24 или 28 выводами; Н — металлический ТО-99 или ТО-100; I — керамический DIP с 8, 10, 14, 16, 18, 24, 28, 40 или 50 выводами; К — ТО-100; L — ТО-99; Q — керамический плоский с 10, 14, 16 и 24 выводами; R — бериллиевый плоский с 16, 18, 24, 28 или 40 выводами; W
— керамический плоский с 10, 14, 16 или 24 выводами.
Фирма Siticonix Sem. Dev.
Пример обозначения: DG 187 А Р
1. Фирменное буквенное обозначение: D — схемы управления для ключей на полевых транзисторах; DF-цифровые схемы; DG — аналоговые ключи; DGM — аналоговые ключи (монолитный вариант гибридных схем); G — многоканальные переключатели; Н — высоковольтные (28 В) логические схемы; L — аналоговые схемы; LD — аналого-цифровые преобразователи; LH — аналоговые гибридные схемы; LM — аналоговые монолитные схемы.
2. Серийный номер (три или четыре цифры).
3. Диапазон температуры: А — от — 55 °С до +125°С- В от — 20 °С до +85 °С; С — от О °С до +70 °С; D — от — 40 °С до + 85°С.
4. Тип корпуса: А — ТО-99, ТО-100; F — плоский с 14 и 16 выводами; J — пластмассовый DIP с 14 и 16 выводами; К — керамический DIP с 14 и 16 выводами; L — плоский с 10 и 14 выводами; Р — DIP с 14 и 16 выводами; R — DIP с 28 выводами; N — пластмассовый типа мини-DIP.
Фирма Silicon General
Пример обозначения: SG 108 AT
1. Фирменное буквенное обозначение: SG
2. Серийный номер.
3. Характеристика: А — улучшенный вариант; С — ограниченный температурный диапазон.
4. Тип корпуса: F — плоский; J — DIP (Cerdip) с 14 и 16 выводами; К — типа ТО-3; М — пластмассовый DIP с 8 выводами; N — пластмассовый DIP с 14, 16 выводами; Р — типа ТО-220 пластмассовый; R — типа ТО-66 (3 и 8 выводов); Т — типа ТО-5 (ТО-39 ТО-99, ТО-100, ТО-101); Y — керамический DIP (Cerdip) с 8 выводами.
Фирма Sprague Electric
Пример обозначения: UL N 2004 А
1. Фирменное буквенное обозначение: UC — серии КМОП, PL; U.D — цифровые формирователи; UG — с датчиками Холла; UL — аналоговые схемы; UH — интерфейсные.
2. Диапазон температуры: N — от — 25 С
С до +70 °С- S — от — 55 °С до +125°С.
3. Серийный номер.
4. Тип корпуса: А — пластмассовый типа DIP; В — пластмассовый типа DIP с теплоотводом; С — бескорпусная ИМС; D — ТО-99; Е — пластмассовый DIP с 8 выводами; F — ТО-86 или с 30 выводами плоский; J — TO-87; К — ТО-100; М — пластмассовый DIP с 8 выводами; N — пластмассовый с 4-рядным расположением выводов; R — керамический DIP с 8 выводами; S — с однорядным расположением выводов SIP с 4 выводами; Т — SIP с 3 выводами- Y — ТО-92; Z — типа ТО-220 с 5 выводами. Для серии UH : 2 — тип корпуса (С — плоский; К — бескорпусная ИМС; D — типа DIP; Р — пластмассовый типа DIP).
Фирма Solitron
Пример обозначения: СМ 4000 A D
1. Фирменное буквенное обозначение: СМ — КМОП; UC4XXX — аналоговые схемы; UC6XXX, UC7XXX — запоминающие устройства (р-МОП-схемы).
2. Серийный номер.
3. Рабочее напряжение: А — (3 — 15) В; В — (3 — 18) В.
4. Тип корпуса и диапазон температуры:
а) для КМОП-схем; D — керамический типа DIP, от — 55 °С до + 125°С; Е — пластмассовый типа DIP, от — 40°С до +85°С- F — керамический типа DIP, от — 55 °С до +85 °С; Н — бескорпусная ИМС; К — плоский, от — 55 °С до +85 °С;
б) для аналоговых схем: без буквы — ТО-99, от — 55 °С до 125 °С; С — ТО-99, от О °С до +70 °С; СЕ — мини-DIP с 8 выводами, от О °С до +70 °С; ID — бескорпусная ИМС.
Фирма Texas Instruments
Примеры обозначения: SN 74 S 188 J; IMS 4030 - 15 J L
2. Диапазон температуры: серии 52, 54, 55, ТР — от — 55 °С до +125 °С; серии 72, 74, 75 — от О °С до +70 °С; серия 62 — от — 25 °С до +85 °С; для биполярных схем: С — от 0°С до +70°С; I — от — 25 °С до +85 °С; Е — от — 40 °С до +85 °С; М — от — 55 °С до + 125°С; для МОП-схем (TMS): L — от 0°С до +70°С; С — от — 25 °С до + 85°С; R — от — 55 °С до +85 °С; М — от — 55 °С до + 125°С.
3. Классификация для ТТЛ-схем: Н — быстродействующие, L — маломощные; LS — маломощные с диодами Шоттки; S — с диодами Шоттки.
4. Серийный номер.
5. Тип корпуса: FA — плоский; J — плоский керамический; JA, JB, JP — с двухрядным расположением выводов типа (DIP); L, LA — металлический; N — пластмассовый; ND, Р — пластмассовый типа DIP; RA, U, W — плоский керамический; SB — плоский металлический; Т — плоский металлостеклянный.
6. Только для быстродействующих МОП-схем в обозначении дополнительно указывается быстродействие: 15 — <150 не; 20 — < <200 не; 25 — <250 не; 35 — <350 не.
2. Серийный номер и вариант прибора (А — улучшенный).
3. Тип корпуса: С — керамический; М — металлический; Р — пластмассовый.
Фирма TRW
Пример обозначения: TDC 1016 J M
1. Фирменное буквенное обозначение: MPY — умножители; TDC — все другие функции.
2. Серийный номер.
3. Тип корпуса: J — керамический типа DIP; N — пластмассовый типа DIP.
4. Диапазон температуры: М — от — 55 °С до +125°С; без обозначения — от О °С до +70 °С.
В табл. 1.1 приведены буквенные обозначения ИМС, выпускаемых различными фирмами.
Таблица 1.1. Буквенные обозначения ИМС различных фирм
Буквенное обозначение
Фирма
Буквенное обозначение
Фирма
AD
Analog Devices
HS
Harris
ADC
Datel Systems (DS)
HT
Harris
ADX
National Sem. Corp.
IB
Intel
(NSC)
1C
Intel
AF
NSC
ICL
Intersil
АН
NSC
ICM
Intersil
AM
Advanced Micro De-
ID
Intel
vices
IDM
NSC
AN
Matsushita
IH
Intersil
AY
General Instrument
IM
Intel, Intersil, NSC
(GI)
IMP
NSC
BUF
Precision Monolithics
INS
NSC
Inc. (PMI)
IP
Intel
CA
RCA
IPC
NSC
CD
RCA; NSC
ISP
NSC
CDP
RCA
ITT
ITT
CF
Harris
IX
Intel
CM
Solitron
J
Matsushita
CMP
PMI
L
Siliconix, SGS-Ates
CP
GI
LA
Sanyo
CU
GI
LB
Sanyo
D
Intersil; Siliconix
LC
Sanyo; GI
DAC
DS; PMI
LD
Siliconix
DAS
DS
LE
Sanyo
DAX
NSC
LF
NSC
DF
Siliconix
LFT
NSC
DG
Intersil; Siliconix
LG
GI
DGM
Siliconix
LH
NSC; Raytheon; Sili-
DH
NSC
conix
DL
GI
LM
NSC; Raytheon; Sa-
DM
NSC
ny; Siliconix; Signe-
DN
Matsushita
tics
DP
NSC
M
Mitsubishi; Matsushita
DS
GI; NSC
MAA
ITT
ER
GI
MAT
PMI
ESM
Sescosem (Thomson)
MB
Intel; Fujitsu
F
Fairchild
MC
Motorola; Intel
G
Siliconix
MCB
Motorola
H
Siliconix
MCBC
Motorola
HA
Harris; Hitachi
MCC
Motorola
HC
Harris
MCCF
Motorola
HD
Harris; Hitachi
MCE
Motorola
HI
Harris
MCM
Motorola
HM
Harris; Hitachi
MD
Intel
HN
Hitachi
MEM
GI
HPROM
Harris
MH
NSC
HRAM
Harris
MIC
ITT
HROM
Harris
MK
Mostek
ML
Plessey
SM
NSC
MLM
Motorola
SMP
PMI
ММ
Intel, NSC
SN
TI; Monolithic Memo-
MN
Matsushita
rices
МР
Intel; Plessey
SNA
TI
мт
Plessey
SNC
TI
мих
PMI
SNH
TI
MV
Datel Systems (DS)
SNM
TI
MX
DS; American Micro*
SP
American Microsys-
systems; Intel
tems; Plessey
MW
RCA
ss
GI
N
Signetics
sss
PMI
NC
GI
STK
Sanyo
NE
Signetics
su
Signetics
NH
NSC
sw
PMI
NOM
Plessey
ТА
Toshiba; RCA
OP
PMI
TAA
ITT; Siemens; Valvo;
PAL
Monolithic Memories
Telefunken
PC
GI
TBA
ITT; Siemens; Valvo;
PIC
GI
Telefunken
PM
PMI
TBB
Siemens
R
Raytheon
TBC
Siemens
RA
GI
TBP
TI
RC
Raytheon
TC
Toshiba
REF
PMI
TCA
ITT; Siemens; Valvo;
RM
Raytheon
Telefunken
RO
GI
TD
Toshiba
RV
Raytheon
TDA
ITT; Siemens; Telefunken
S
American Microsystems; Signetics
TDB
Sescosem; Siemens
SA
Signetics
TDC
TRW; Siemens
SAB
Telefunken
TL
TI; Telefunken
SAK
ITT; Valvo
TM
Toshiba
SAJ
ITT
TMS
TI
SAS
Telefunken
и
Telefunken
SAY
ITT
UAA
Telefunken
SBA
GI
UCN
Spraque
SBP
Texas Instruments
ucs
Spraque
(TI)
UC4
Solitron
SD
NSC
UC6
Solitron
SDA
Siemens
UC7
Solitron
SE
Signetics
UDN
Spraque
SFC
Sescosem
UDS
Spraque
SFF
Sescosem
UGN
Spraque
SG
Silicon General
UL
American Microsys-
SH
Fairchild
tems
SHM
DS
ULN
Spraque
SL
Plessey; GI; NSC
ULS
Spraque
м
А
Fairchild
VF
DS
м
РА
NEC
XR
Exar Integr. Systems
м
PB
NEC
ZN
Ferranti
м
РС
NEC
ZSS
Ferranti
м
PD
NEC
ZST
Ferranti
РАЗДЕЛ ВТОРОЙ
АНАЛОГОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
2.1. ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
Операционные усилители (ОУ) благодаря своей универсальности и возможности многофункционального использования нашли широкое применение в радиоаппаратуре. Они представляют собой специальные усилители постоянного тока. Операционные усилители делятся на усилители с одним входом (инверсным, например НА2530) или с двумя входами (инверсным и неинверсным), т.е. дифференциальные. По способу компенсации дрейфа нуля различают ОУ с параметрической компенсацией дрейфа (с непосредственными связями без преобразования сигнала); с преобразованием сигнала; автоматической коррекцией дрейфа нуля. В усилителях с непосредственными связями компенсация дрейфа нуля осуществляется путем построения входных каскадов по симметричной балансной или дифференциальной схеме. В усилителях с преобразованием сигнала для усиления постоянной составляющей используется усилитель типа МДМ (с модуляцией, усилением на несущей и последующей демодуляцией), например НА2905, АМ490 и др. Усилители с автоматической коррекцией дрейфа нуля (с автокомпенсацией) подразделяются на усилители с периодической и непрерывной коррекцией дрейфа нуля. Последние включают два усилителя, работающие попеременно: один обеспечивает усиление входного сигнала, другой осуществляет автоматическую подстройку нуля (например, ICL7600). Более широкое распространение получили ОУ без преобразования сигнала с входными каскадами по дифференциальной схеме, обладающие высокой помехозащищенностью по цепям питания. Кроме того, наличие неинверсного входа делает их более универсальными и расширяет их эксплуатационные возможности. Реализация широкой полосы пропускания достигается легче у усилителей с одним (несимметричным) входом. Усилители с преобразованием сигнала применяются в случаях, когда необходим минимальный дрейф нуля. Однако быстродействие у них невысокое. Если усилители без пре образования сигнала не удовлетворяют требованиям в отношении дрейфа нуля, а применение усилителей типа МДМ нежелательно, могут использоваться усилители с автокомпенсацией (автокоррекцией) нуля, но они имеют также невысокое быстродействие. Обеспечение устойчивости ОУ при работе с обратной связью достигается с помощью цепей частотной коррекции как внешних, так и внутренних. Например, внутренняя частотная коррекция осуществляется созданием МОП-конденсатора емкостью 30 — 100 пФ, присоединенного к соответствующим точкам схемы.
Таблица 2.1. Операционные усилители
Тип
Uип, B
UCM
,
мВ
ДU см/
ДТ,
мкВ/°С
Iвх
, НА
ДIвх
, нА
1 <7
VUвых
,
В/мкс
Kос.сф,
дБ
Kвл.и.п- ДБ*; K вл.и.п- МКВ/В
Uш.н,
нВ/VГц; Uш.эф, МКВ
Rвх
, Ом
tуст
, мкс
Iпотр, МА Р
потр, МВТ
f1
, МГц
Тип корпуса
Дополнительные сведения
A109D AD504J
±18 ± (5 — 18)
<7,5 <2,5
<25
<5
<1500 <200
<500 <40
>15.103
>250 103
0,1
>65 >94
<200 40
8
>50-103
0,5-106
-
<200* <4
0,3
ТО-99 ТО-99
Малошумящий
AD504K AD504L AD504M
± (5-18) ± (5 — 18) ± (5-18)
<1,5 <0,5
<0,5
<3 <1
<0,5
<100 <80 <80
<15 <10
<10
>500-103
>106
> 106
0,12 0,12 0,12
>100 >110 >110
<25 <15 <15
8
8
<9
106
1.3-106
1,3 -10е
-
<3
<3
<3
0,3 0,3 0,3
ТО-99 ТО-99 ТО- 100
Быстродей- ствующий
AD505J AD505K
AD507J AD507K
AD509J AD509K
± (5 — 18) ± (5 — 18)
± (5 — 20) ±
(5 — 20)
±
(5 — 20) ± (5 — 20)
<5
<2,5
<5
<3
<10
<8
15 <15
15 15
20 <30
<75 <25
<25 <15
<250 <200
<25 <15
<50 <25
>100- 103
>200 103
>80 103
>100-103
>7,5.103
>10-10з
>120 >120
>20 >20
>80 >100
>74 >80
>74 >80
<S200 <100
<200 <100
10* 10*
12 12
2.10е
2-103
>40-106
>40.106
>40 10s
>50-10в
0,8
0,8
0,9
0,9
0,2
<0,5
<в
<8
<4
<4
<6
<6
10
10
35
35
20
20
ТО.100 ТО-99
ТО-99 ТО-99
ТО-99 ТО-99
Широкополосный
Быстродействующий
>
AD512K
± (5 — 18)
<ёЗ
<20
<200
<50
>50-103
0,5
>80
<100
10е
<3,3
1
ТО-99
C внутренней компенсацией
AD517J
± (5-18)
<0,15
<3
<5
<1
106
0,1
>94
<40
20
2.10й
—
<4
0,25
ТО.99
Прецизион-ный С внутрен-
AD517K
± (5 — 18)
<0,05
<1
<2
<0,75
10е
0,1
>110
<15
20
2.1011
<3
0,25
ТО-99
ней компенсацией
AD517L
± (5-18)
<0,025
<0,5
<1
<0,25
106
0,1
>110
<15
20
2.1011
<3
0,25
ТО-99
прецезисион-
ный
AD517S AD518J
=t (5-22) ± (5 — 20)
<0,05 <10
<1 10
<2
<500
<0,75 <200
Ю1
>25-103
0,1
>50
>110 >65
<20 >70*
20
2-1011
>5-l05
0,8
<3 <10
0,25 12
ТО-99 ТО-99
С внутренней компенсацией Прецизионный Быстродействующий, с