Курсовая работа
Расчёт интегральной микросхемы
Содержание
Введение
1. Анализ исходных данных и выбор конструкции
2. Разработка коммутационной схемы
3. Расчет параметров элементов
4. Тепловой расчет микросхемы в корпусе
5. Расчет паразитных емкостей
6. Расчет параметров надежности ИМС
7. Разработка технологии изготовления микросхем
Заключение
Литература
Приложение
Введение
Создание микроэлектронной аппаратуры явилось результатом процесса комплексной микроминиатюризации электронно-вычислительных средств, аппаратуры связи, устройств автоматики. Этот процесс возник в связи с потребностями развития промышленного выпуска изделий электронной техники на основе необходимости резкого увеличения масштабов их производства, уменьшения их массы, занимаемых ими объемов, повышения их эксплуатационной надежности.
Интегральная микросхема (ИМС) – это конструктивно законченное изделие электронной техники, выполняющее определенную функцию преобразования информации и содержащее совокупность электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (ЭРЭ), изготовленных в едином технологическом цикле.
По способу изготовления различают полупроводниковые и пленочные ИМС. В полупроводниковых ИМС все ЭРЭ и часть межсоединений сформированы в приповерхностном слое полупроводниковой (обычно кремниевой) подложки. В пленочных ИМС пассивные ЭРЭ изготовлены в виде совокупности тонких (менее 1мкм) или толстых (10-50мкм) пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку. Гибридные ИМС (ГИС) представляют собой комбинацию пленочных пассивных ЭРЭ с миниатюрными бескорпусными дискретными активными приборами (полупроводниковыми ИМС, транзисторами, диодами), расположенных на общей диэлектрической подложке.
Актуальность производства и проектирования интегральных схем обусловлена следующими достоинствами:
- высокой надежностью вследствие уменьшения количества паянных и других соединений, которые имеют высокую интенсивность отказов, по сравнению с РЭС на дискретных элементах;
- малыми габаритами и весом, что повышает надежность РЭС, так как при малых габаритах и весе больше резонансные частоты и аппаратура становиться более устойчивой к механическим воздействиям;
- низким энергопотреблением, что объясняется малым расстоянием между элементами в микросхеме (большая плотность упаковки), что приводит к меньшим затуханиям и искажениям полезного сигнала, вследствие чего возможно снижение питающих напряжений в интегральной схеме по сравнению со схемами на дискретных элементах;
- сокращением длительности процессов проектирования и производства РЭС на основе интегральных схем;
- повышением ремонтопригодности, так как становится проще отыскать и устранить неисправность.
Задачами данного курсового проекта являются: выбор конструкции ИМС (полупроводниковая или гибридная), расчет элементов(резисторов, конденсаторов, транзисторов и т.д) и разработка топологии, а также тепловой расчет, расчет надежности и паразитных связей и разработка технологии изготовления ИМС.
1.
Анализ исходных данных и обоснование выбора конструкции
Сначала анализируем электрическую принципиальную схему. Схема является аналоговой.
Исходя из этого ее можно выполнять как в виде полупроводниковой ИМС, так и в виде гибридной ИМС.
Далее анализируем перечень элементов. Резисторы имеют номинальные сопротивления в приделах от 1,2 кОм до 9 кОм и номинальные мощности рассеивания ниже 5 мВт, а конденсатор имеет номинальную емкость 20-30 пФ, что позволяет их выполнить как в виде ГИС, так и в виде полупроводниковой ИМС. Погрешности электрических параметров резисторов и конденсатора выше 15%, что также не накладывает ограничения в выборе конструктивно-технологического варианта микросхемы. Ввиду того, что схема содержит большое количество транзисторов, следует склониться к выбору биполярной полупроводниковой ИМС.
С целью снижения себестоимости ИМС необходимо их выпускать большими партиями, что обусловлено меньшими затратами на амортизацию с основных средств на единицу конструкции. В связи с вышеизложенным полупроводниковые ИМС экономически целесообразны только при массовом или крупносерийном характере производства.
2. Разработка коммутационной схемы
Разработка коммутационной схемы – это первый этап разработки топологии. На этом этапе путем анализа электрической принципиальной схемы оценивается возможность реализации изделия в виде полупроводниковой интегральной схемы. При составлении коммутационной схемы, представленной на рисунке 2.1, за основу была принята схема электрическая принципиальная усилителя . Далее преобразуем ее с учетом конструктивных особенностей элементов схемы в полупроводниковом исполнении. В частности сформируем схему так, чтобы в ней отсутствовали пересечения проводников. В процессе выполнения разработки коммутационной схемы было принято решение разместить внешние контактные площадки на противоположных сторонах платы, что облегчит осуществление операции соединения внешних контактных площадок с выводами корпуса.
3.
Расчеты элементов ИМС
Расчет биполярного транзистора с применением ЭВМ
По литературному источнику [1] определяем основные электрические параметры и эксплуатационные данные на заданный транзистор (КТ319В).
Таблица 2.1
Основные электрические параметры и эксплуатационные данные на заданный транзистор
Тип транзистора
|
Струк
тура
|
|
|
|
|
|
|
Интервал рабочих темпера тур
|
КТ319В
|
n-p-n
|
100
|
5
|
1
|
15
|
40
|
15
|
-60…+85
|
Используя ЭВМ и данные, полученные из справочной литературы, определяем нужные нам характеристики интегрального биполярного транзистора.
Исходные и корректируемые данные:
1.Значение тока коллектора
=15 мА.
2.Напряжение коллектор-эмиттер
=5В.
3.Длина эмиттера
=0,005см.
4.Ширина эмиттера
=0,005см.
5.Глубина
области (эмиттер)
=0,85*10-4
см.
6. Глубина
области (активная база)
=3*10-4
см.
7.Толщина эпитаксиальной пленки
=10*10-4
см.
8.Концентрация донорной примеси на поверхности эмиттера
= 3*1021
.
9. Концентрация акцепторной примеси на поверхности базы
= 5*1017
.
10.
= 5*1015
.
11.Температура окружающей среды 300 К.
Результаты расчета на ЭВМ:
1.Статический коэффициент передачи тока
=46,7
.
2.Граничная частота усиления
=107МГц.
3.Поверхностное сопротивление эмиттера
=0,573
.
4.Поверхностное сопротивление коллектора
=569
.
5.Поверхностное сопротивление пассивной базы
=284
.
6.Поверхностное сопротивление активной базы
=480
.
7.Сопротивление базы
=28,5 Ом.
8.Сопротивление коллектора
=60 Ом.
9.Пробивное напряжение перехода эмиттер-база
=6,78 В.
10.Пробивное напряжение перехода коллектор-база
=116 В.
11.
=32 В.
12.Емкость перехода база-эмиттер
=15 пФ.
13.Емкость перехода база-коллектор
=0,26 пФ.
14.Время заряда емкости эмиттерного p-n перехода
=
с.
15.Время переноса носителей через активную базу транзистора
=
с.
16.Время пролета носителей заряда через ОПЗ коллекторного перехода
=
с.
17.Время заряда емкости коллекторного p-n перехода
=
с.
18.Удельная емкость
=
.
19. Удельная емкость
=
.
Остальные элементы (резисторы, конденсаторы) выполняются на основе областей биполярного транзистора. Выполним соответствующие расчеты.
Расчет резисторов
Исходными данными для расчета геометрических размеров интегральных полупроводниковых резисторов являются: заданное в принципиальной электрической схеме номинальное значение сопротивления R и допуск на него
, поверхностное сопротивление легированного слоя
, на основе которого формируется резистор, среднее значение мощности
P и максимально допустимая удельная мощность рассеяния
(
=8
для диффузионных и имплантированных резисторов [2]), основные технологические и конструктивные ограничения.
R1=3 кОм
15%
Так как данный резистор имеет сопротивление не более 10 кОм и не менее 1 кОм, то в качестве конструкции используем диффузионные резисторы на основе базовой области (
=480
). Конфигурация данного резистора изображена на рисунке 3.1.
Рис.3.1. Конфигурация диффузионных резисторов
R
1
Минимальную ширину резистора, при которой обеспечивается заданная погрешность, определяют из выражения:
0,331, (2.1)
где Db и Dl - погрешности ширины и длины, обусловленные технологическими процессами. Для типовых процессов (Dl=Db=0.1 мкм).
0,35, (2.2)
где
- погрешность воспроизведения удельного поверхностного сопротивления, для типовых процессов его выбирают в пределах 0,05¸0,1.
Теперь найдем минимальную ширину резистора
, определяемую из максимально допустимой мощности рассеяния
. (2.3)
=7,3 мкм.
Для составления чертежа топологии необходимо выбрать шаг координатной сетки. Выбираем 1:500. Затем определяют промежуточное значение ширины резистора:
, (2.4)
где
- погрешность растравливания окон (
=0,2¸0,5 мкм);
- погрешность ухода диффузионного слоя под маскирующий окисел (
» 60% базового и 80% эмиттерного слоёв).
пром
=7,3-2×(0,5+1,8)=2,7 мкм
Реальная ширина резистора на кристалле:
(2.5)
где
топ
– топологическая ширина резистора.
Отсюда
=9,6.
Расчётную длину резистора определяют по формуле:
(2.6)
где n1
– число контактных площадок резистора (n=2);
k1
– поправочный коэффициент, определяемый по номограмме (k1
=0,5).
Тогда имеем
=50,4 мкм.
Затем рассчитывают промежуточное значение длины:
(2.7)
Реальная длина резистора на кристалле:
(2.8)
Аналогично рассчитываем резисторы R2, R3, R4, R6. Полученные данные заносим в таблицу 3.1.
Таблица 3.1
|
Номин.,
кОм
|
Откл.,
%
|
Мощность,
мВт
|
,
|
Коэф.
формы
|
,
мкм
|
,
мкм
|
топ
,
мкм
|
,
мкм
|
,
мкм
|
топ,
мкм
|
R1
|
3
|
15
|
1.5
|
480
|
6,25
|
0,331
|
7,3
|
5
|
9,6
|
50,4
|
55
|
R2
|
9
|
15
|
1
|
480
|
18,75
|
0,3
|
3,4
|
5
|
9,6
|
168,4
|
173
|
R3
|
5
|
15
|
2
|
480
|
10,4
|
0,313
|
6,5
|
5
|
9,6
|
90,4
|
95
|
R4
|
2,1
|
15
|
1.5
|
480
|
4,37
|
0,351
|
8,7
|
5
|
9,6
|
32,4
|
37
|
R5
|
3
|
15
|
1.5
|
480
|
6,25
|
0,331
|
7,3
|
5
|
9,6
|
50,4
|
55
|
R6
|
1,2
|
15
|
1.5
|
480
|
2,5
|
0,4
|
11,5
|
7
|
11,6
|
17,4
|
22
|
Расчет конденсатора
Выбор конструкции конденсатора определяется значениями допустимого рабочего напряжения
и номинальной емкости
. Напряжение
ограничено величиной напряжения пробоя p-n-перехода. Напряжения пробоя p-n-перехода коллектор – база
и эмиттер – база
рассчитывались ранее при проектировании биполярного транзистора и имеют следующие значения:
=116 В,
=6,78 В. И то и другое пробивное напряжение обеспечивает заданное
. Удельную емкость p-n-перехода коллектор – база и эмиттер – база при нулевом смещении на нем (
=0В,
=0В) также рассчитывались при проектировании биполярного транзистора и имеют следующие значения:
=9,69*10-9
Ф/см2
,
=1.06*10-7
Ф/см2
. Таким образом целесообразно выбрать удельную емкость, которая в наилучшей степени обеспечивает площадь конденсатора, соизмеримую с площадью, занимаемой транзистором, то есть выбираем конденсаторы на основе p-n-перехода эмиттер – база.
Расчет удельной емкости боковой части p-n-перехода эмиттер – база затруднен, поэтому ее величина может быть принята равной
. Удельная емкость боковой части p-n-перехода коллектор – база практически равна ее донной части
.С целью минимизации размеров кристалла полупроводниковой ИМС принимаем топологию конденсатора квадратной формы со стороной А. Величина А для конденсатора на основе p-n-перехода эмиттер – база определяется из уравнения:
,
где
=
- удельная емкость донной части p-n перехода эмиттер-база;
= 1000
- удельная емкость боковой части p-n перехода эмиттер-база;
- глубина эмиттера;
– номинальная емкость заданного i-го конденсатора.
Таким образом, решая данное уравнение относительно А, получим размеры конденсаторов:
А=135 мкм – для конденсаторов С1 и С3.
А=158 мкм – для конденсатора С2. с целью уменьшения топологических размеров конденсатора используем параллельное включение двух p-n-переходов, осуществляемое с помощью металлических проводников. Таким образом имеем:
А=111мкм.
Выбор структуры диодов ИМС
Данные диоды (КД901А) имеют следующие исходные данные:
Диоды, сформированные на основе перехода эмиттер – база, характеризуются наимеьшими значениями обратного тока за счет самой малой площади и самой узкой области объемого заряда (
). Наименьшей паразитной емкостью (
) также обладают диодные структуры на основе перехода эмиттер – база. Для других структур значение паразитной емкости порядка 3пФ. Быстродействие характеризуется также временем восстановления обратного сопротивления. Оно минимально (около 10нс) для перехода эмиттер – база при условии, что переход коллектор – база закорочен. В других структурах время восстановления обратного сопротивления составляет 50-100нс. Из анализа исходных данных и способа применения диодов в цифровых схемах как накопительных, можно заключить, что целесообразнее выбрать диоды на основе перехода эмиттер – база.
4.
Тепловой расчет микросхемы в корпусе
Так как ИС герметизируется путем запрессовки в пластмассовый корпус типа 2, то тепловое сопротивление конструкции определяется
, (4.1)
где
,
- толщина слоя пластмассы (компаунда,
=1,7мм) и ее теплопроводность
(
);
- внутреннее тепловое сопротивление кристалла, которое определяется по формуле
, (4.2)
где
,
- толщина подложки pSi (
=200мкм) и ее теплопроводность
(
);
Температура кристалла рассчитывается по формуле
, (4.3)
где
- температура окружающей среды(
=40
);
- площадь кристалла;
- суммарная мощность элементов.
Тогда
.
.
Так как рабочая температура не превышает допустимую 85
, то никаких конструктивных мер принимать не следует.
5. Расчет паразитных связей
Определим паразитную емкость в участке, где она наибольшая. Для трех проводников их будет две. Обозначим их как С12 и С13. Частичные емкости между проводниками, параллельно расположенными на подложке и находящимися в окружении других проводников, вычисляют по следующей формуле
, (5.1)
где i,j – номера проводников;
l – длина проводников;
- расчетная диэлектрическая проницаемость(
=
2=6 при
2
1), где
1,
2 – диэлектрические проницаемости соответственно окружающей среды и двуокиси кремния;
- емкостный коэффициент i-ого и j-ого проводников, который рассчитывается для данного случая по следующим формулам
, (5.2)
, (5.3)
где смысл параметров ясен из рисунка 4.1.
=
см;
=
см;
=
см;
=
см;
=
см; l=см.
Рис.5.1. Система параллельных проводников
,
,
пФ ,
пФ.
Так как значения паразитных емкостей незначительны, то никаких мер принимать не следует.
6. Оценка надежности ИМС
В данном случае интенсивность отказов
полупроводниковой ИМС с учетом того, что время появления внезапных отказов распределено по экспоненциальному закону, определяется выражением
(6.1)
где m – число групп элементов;
- число элементов данного типа;
- поправочный коэффициент, учитывающий влияние температуры окружающей среды и электрической нагрузки;
- поправочный коэффициент, учитывающий влияние механического воздействия, влажности и изменение атмосферного давления;
;
=1,07 для полевых условий эксплуатации,
=2,5 при влажности 90% и температуре 40
,
=1 для высоты уровня моря;
- интенсивность отказов элементов, металлизации, кристалла и конструкции.
Значения интенсивностей отказов определим по следующим формулам
, (6.2)
, (6.3)
, (6.4)
где
- интенсивность отказов из-за дефектов, обусловленных диффузией (
=
);
- интенсивность отказов из-за дефектов металлизации (
=
);
- интенсивность отказов из-за дефектов оксида (
=
);
- интенсивность отказов из-за дефектов от посторонних включений в корпусе (
=
);
- интенсивность отказов из-за поверхностных и структурных дефектов кристалла (
=
);
- интенсивность отказов из-за некачественного крепления кристалла (
=
);
- интенсивность отказов из-за обрыва термокомпрессионного сварного соединения (
=
);
- интенсивность отказов из-за повреждения корпуса(для пластмассового корпуса
=
);
,
,
- интенсивности отказов элементов, металлизации, и кристалла соответственно;
- число стадий диффузии при формировании элемента (для транзистора – 4, для резистора – 2, для конденсатора – 3);
,
,
- площади элементов, металлизации, и кристалла соответственно(площадь одного транзистора составляет – 0,015
, конденсатора – 0,058
, суммарная площадь металлизации – 0,32
, площадь кристалла – 1,15).
К компонентам ненадежности относится также корпус и соединения, значения интенсивностей отказов которых были рассмотрены ранее.
2,675*(12*1,1*(
*4+
*0,015)+1,7*(
*2+
*0,073)+ 1,7*(
*2+
*0,012)+1,7*(
*2+
*0,003)+ 1,7*(
*2+
*0,01)+1,7*(
*2+
*0,009)+1,2*(
*2+
*0,058)+1,3(
+
+
)*0,32+
*1,15+
+
+
=
Вероятность безотказной работы для времени t=10000ч определим по формуле
. (6.5)
7. Технология изготовления микросхемы
1.Химическая обработка пластин, двухстадийная в перикисно-аммиачном растворе.
2.Окисление кремния во влажном кислороде при 1000
в течении 2ч до получения окисла толщиной (0,6
0,06)мкм.
3.Фотолитография для образования окон под
- скрытый слой. Применять фоторезист ФН 102. Нанесение фоторезиста и сушку осуществлять на агрегате формирования фоторезистивных покрытий АФФ 2. Сушку проводить в течении 15 мин. Экспанирование проводить в установке экспанирования ЭМ-569. Время экспанирования 40 сек. Проявление проводить в течении 20сек и температурой растворителя 50
. После проявки сушку проводить в два этапа: 30 мин при температуре 90
и 40 мин при температуре 200
. Для травления слоя расположенного под фоторезистивной маской использовать травитель следующего состава: HF:
=2:7:1.
4.Химическая обработка пластин в перикисно-аммиачном растворе.
5.Диффузия сурьмы для формирования
- скрытого слоя в две стадии: загонка при 1000
в течение 20мин, обработка осажденного сурьмяно-силикатного стекла во влажном кислороде при 1000
, снятие стекла и окисла в растворе HF, вторая стадия разгонка при 1200
в течение 2 часов.
6.Снятие окисла в растворе
:HF:
=7:1:3.
7.Химическая обработка пластин в перикисно-аммиачном растворе.
8.Эпитаксиальное наращивание монокристаллического слоя кремния n-типа из газовой смеси
+
при 1200
, толщиной (7
0,1) мкм, с плотностью дефектов не более
, легированного мышьяком.
9.Окисление поверхности эпитаксиального слоя при 1000
в течение 40 мин в сухом кислороде для получения окисла толщиной (60
10) нм.
10.Фотолитография для вскрытия окон под разделительную (изолирующую) диффузию и окон под диффузионные резисторы на основе коллекторной области. Применять фоторезист ФН 102. Нанесение фоторезиста и сушку осуществлять на агрегате формирования фоторезистивных покрытий АФФ 2. Сушку проводить в течении 15 мин. Экспанирование проводить в установке экспанирования ЭМ-569. Время экспанирования 40 сек. Проявление проводить в течении 20сек и температурой растворителя 50
. После проявки сушку проводить в два этапа: 30 мин при температуре 90
и 40 мин при температуре 200
. Для травления слоя расположенного под фоторезистивной маской использовать травитель следующего состава: HF:
=2:7:1.
11.Двухстадийная диффузия бора: осаждение на поверхность пластины боросиликатного стекла из газовой фазы, содержащей
и
, при 950
, обработка боросиликатного стекла во влажном кислороде при 600
в течение 30 мин, снятие боросиликатного стекла в травителе HF:
=1:10, разгонка при 1050
в течение 30 мин до толщины превышающей толщину эпитаксиального слоя.
12.Термическое окисление структур при 1050
в сухом (10мин), влажном (20мин), и снова в сухом (10мин) кислороде.
13.Фотолитография для вскрытия окон в окисле для проведения базовой диффузии над теми карманами, где будут формироваться транзистор и резистор на основе базового диффузионного слоя. Применять фоторезист ФН 102. Нанесение фоторезиста и сушку осуществлять на агрегате формирования фоторезистивных покрытий АФФ 2. Сушку проводить в течении 15 мин. Экспанирование проводить в установке экспанирования ЭМ-569. Время экспанирования 40 сек. Проявление проводить в течении 20сек и температурой растворителя 50
. После проявки сушку проводить в два этапа: 30 мин при температуре 90
и 40 мин при температуре 200
. Для травления слоя расположенного под фоторезистивной маской использовать травитель следующего состава: HF:
=2:7:1.
14.Двухстадийная базовая диффузия примеси p-типа (бор). Загонку проводить в течении 20 мин при температуре 900
. Одновременно формируется на базовых областях окисел толщиной 0,18…0,2 мкм и проводится разгонка 1ч при 1200
.
15. Фотолитография для вскрытия окон в окисле над областями эмиттера транзистора и коллекторного контакта нижней обкладки конденсатора. Размер эмиттера 100мкм, точность совмещения фотошаблона не более 1мкм.
16.Диффузия фосфора для получения области эмиттера на глубину 1,3мкм. Осаждение проводить при температуре 960
.
17.Фотолитография для вскрытия контактных окон в
к резисторам, к нижней обкладке конденсатора и к областям транзистора.
18.Напыление пленки Al +(1%)Si толщиной (0,6
0,1) мкм, температура подложки 200
, температура отжига 250
.
19.Фотолитография по алюминию для формирования пленочной коммутации, верхней обкладки конденсатора и внешних контактных площадок. Клин травления и уход размеров не более 1мкм.
20.Осаждение изолирующего слоя окисла плазмохимическим способом при температуре 150
толщиной (1
0,1)мкм.
21.Фотолитография по пленке защитного диэлектрика для вскрытия окон к контактным площадкам микросхемы и дорожек для скрайбирования.
22.Скрайбирование пластин для разделения их на кристаллы. Операции контроля и разбраковка микросхем по электрическим параметрам и на функционирование на еще не разделенных на кристаллы пластинах ( на негодные кристаллы ставится метка краской). Затем производится разделение пластин на кристаллы без потери их взаимной ориентировки. Операции монтажа и сборки в корпус.
Заключение
В процессе выполнения курсового проекта была разработана полупроводниковая интегральная схема усилителя. В курсовом проекте были выполнены тепловые расчеты, расчет паразитных емкостей. Полученные в результате расчета значения не превышают максимально допустимых, указанных в справочной литературе. Та же картина наблюдалась и при расчете паразитных емкостей, значения, полученные в процессе расчета, оказались ничтожно малыми. Можно сказать, что паразитные емкости с подобными номинальными значениями не будут оказывать, сколь бы то ни было, ощутимое воздействие на работу усилителя. Посему было принято решение конфигурацию проводников оставить без изменений. В процессе работы был также осуществлен расчет надежности.
Основываясь на значениях топологических размеров элементов был разработан топологический чертеж. Разработав топологию, мы перешли к выбору корпуса и в результате остановили свой выбор на корпусе вида: «Корпус 1203 ГОСТ 17467 – 79».Важным этапом явился этап разработки технологического процесса изготовления микросхемы. В результате можно сделать вывод, что последний вполне способен обеспечить воспроизведение параметров, заложенных конструктором на этапе разработки полупроводниковой интегральной схемы. И в заключение всего можно сделать вывод, что разработанная нами микросхема способна занять достойное место среди подобных ей изделий.
В итоге можно сказать, что курсовое проектирование значительно влияет на освоение материала учебного курса и дает реальное представление о конструкторско-технологических работах, проводимых на этапе проектирования.
Литература
1. Конструирование и производство микросхем. Курсовое проектирование: Учеб. пособие для вузов по спец. «Конструирование и производство радиоаппаратуры» и «Конструирование и производство электронно-вычислительной аппаратуры» /Под ред. Коледова Л.А. – М.: Высшая школа, 1984.-231 с.
2. Матсон Э.А., Крыжановский Д.В. Справочное пособие по конструированию микросхем. – Мн.: Вышэйшая школа, 1982.-224 с.
3. Матсон Э.А. Конструкции и технология микросхем: Учебное пособие для радиотехн. спец. вузов. – Мн.: Вышэйшая школа, 1985.- 207 с.
|